Segui
Alexander Tselykovskiy
Alexander Tselykovskiy
Ph.D., Scientific Research Institute of System Analysis, Russian Academy of Sciences
Email verificata su niisi.msk.ru - Home page
Titolo
Citata da
Citata da
Anno
Small-Signal Capacitance and Current Parameter Modeling in Large-Scale High-Frequency Graphene Field-Effect Transistors
GI Zebrev, AA Tselykovskiy, DK Batmanova, EV Melnik
IEEE Transactions on Electron Devices 60 (6), 1799 - 1806, 2013
442013
Interface traps in graphene field effect devices: extraction methods and influence on characteristics
GI Zebrev, EV Melnik, AA Tselykovskiy
arXiv preprint arXiv:1405.5766, 2014
152014
Physics-based compact modeling of double-gate graphene field-effect transistor operation
GI Zebrev, AA Tselykovskiy, VO Turin
2012 28th International Conference on Microelectronics Proceedings, 237-240, 2012
92012
Influence of Interface Traps and Electron-Hole Puddles on Quantum Capacitance and Conductivity in Graphene Field-Effect Transistors
GI Zebrev, EV Melnik, AA Tselykovskiy
Interface, 2010
72010
Quantum Capacitance vs Chemical Potential Universal Curve and Interface Trap Parameter Extraction in Graphene Gated Structures
GI Zebrev, EV Melnik, AA Tselykovskiy
Condens. Matter: Mesoscale Nanoscale Phys, 2010
22010
Моделирование аналоговых устройств графеновой электроники
АА Целыковский, ИА Данилов, ГИ Зебрев
Проблемы разработки перспективных микро-и наноэлектронных систем (МЭС), 143-146, 2012
2012
Графеновая схемотехника: моделирование аналоговых устройств
АА Целыковский, ИА Данилов
Научная сессия МИФИ – 2012, 91-92, 2012
2012
Амбиполярная графеновая электроника: моделирование устройств и перспективы
АА Целыковский, ИА Данилов, ГИ Зебрев, ДК Батманова
Научная сессия МИФИ – 2012 1, 138, 2012
2012
Компактная модель графенового полевого транзистора на языке Verilog-A
АА Целыковский, ИА Данилов, ГИ Зебрев
Программные продукты и системы, 122-126, 2012
2012
Влияние ударной ионизации и сопротивления стока на вольт-амперные характеристики графеновых полевых транзисторов
АА Целыковский
НИЯУ МИФИ, 2011
2011
Graphene field-effect transistor current-voltage characteristics modeling taking into account velocity saturation in the channel
АА Tselykovskiy, EV Melnik
NRNU MEPhI, 2009
2009
Моделирование графенового полевого транзистора с двойным затвором
ЕВ Мельник, АА Целыковский
НИЯУ МИФИ, 2009
2009
11 Interface Traps in Graphene Field-Effect Devices
GI Zebrev, EV Melnik, AA Tselykovskiy
Il sistema al momento non può eseguire l'operazione. Riprova più tardi.
Articoli 1–13